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[发明专利]层沉积方法和层沉积设备-CN201910071759.1有效
发明人：姜信在;韩东勋;金度亨;朴景旭;裴钟容;李先秀;李寅载;李全一;林彩默 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中，将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。
沉积方法设备

[发明专利]膜层沉积装置及膜层沉积方法-CN201911011931.0在审
发明人：江向红 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置及膜层沉积方法。所述膜层沉积装置包括：承载部，用于承载晶圆；喷头，设置于所述承载部上方，用于向所述位于所述承载部的表面的所述晶圆喷射反应气体，所述反应气体用于在所述晶圆表面形成膜层；遮蔽结构，用于遮蔽所述喷头的边缘区域本发明一方面，提高了膜层厚度的均匀性；另一方面，使得在后续刻蚀过程中，边缘区域的膜层能够充分被刻蚀，避免了膜层残留，改善了刻蚀质量。
沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置及原子层沉积方法-CN202011089730.5在审
发明人：郭世根;项金娟;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。本申请的原子层沉积装置包括反应室、晶片承载器和多个喷嘴，晶片承载器设于反应室的内部，用于在同一平面内承载多个晶片，多个喷嘴设于晶片承载器的上方的反应室的侧壁或顶壁，用于向反应室内通入第一前驱体、第二前驱体和净化气体根据本申请的原子层沉积装置，能够同时在多个晶片表面形成原子层，提高晶片生产效率，同时保证原子层的沉积厚度和范围的均匀性，提高晶片质量。
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法-CN202210319589.6在审
发明人：周向前 -专利权人：前微科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积装置和原子层沉积方法，原子层沉积装置包括第一反应床主体、第二反应床主体、一对第一高压装置、一对第二高压装置和一对工作装置，第一反应床主体和第二反应床主体沿第一方向相对间隔设置，
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法-CN201410183662.7有效
发明人：长井博之;桑山哲朗 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及原子层沉积装置和原子层沉积方法。原子层沉积装置包括可密封的沉积室；保持部，被配置为在沉积室中保持包括沉积表面的基板；供应机构，包括连接至供应气体的气体供应源的导入部，并且被配置为将导入导入部的气体从与沉积表面相对的位置处供应至沉积室；以及排出机构，包括连接至能够排出气体的排出机构的排出部，并且被配置为从与沉积表面相对的位置处给沉积室排气。
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法-CN202080060774.7有效
发明人：龟田直人;三浦敏德;花仓满 -专利权人：株式会社明电舍
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置及原子层沉积方法-CN200710112662.8无效
发明人：李名言;吴孝哲;蔡文立 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种原子层沉积装置及原子层沉积方法，原子层沉积装置包含具有多个次反应室的反应室、输送装置及多个晶片载台，所述次反应室配置于输送路径上，输送装置沿输送路径输送多个晶片载台，以使每一晶片载台依序与各次反应室相对配合形成密闭的反应环境其中，各次反应室中分别维持一合适反应的化学气氛状态，藉由使每一欲沉积的晶片依序通过各次反应室中相搭配的不同气氛来完成不同步骤的原子层沉积工艺。
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置及原子层沉积系统-CN201580010609.X有效
发明人：曹生贤 -专利权人： VNI斯陆深株式会社
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种原子层沉积装置及原子层沉积系统，在把多个矩形基板支撑于一个基板支撑部的状态下，借助相对于气体喷射部的相对旋转而在基板表面形成薄膜，从而能够减小装置的安装空间，显著提高生产速度；本发明提供一种原子层沉积装置，包括真空腔；气体喷射部，其安装于所述真空腔的上侧或下侧，向基板的表面供应气体以便沉积薄膜；基板支撑部，其相对于所述气体喷射部而相对水平旋转地安装于所述真空腔，支撑沿其旋转中心而在圆周方向上配置的2个以上的矩形基板
原子沉积装置系统

[发明专利]原子层沉积方法和原子层沉积设备-CN03823818.7无效
发明人：古尔特基·S·桑赫;特鲁格·特里·多恩 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子层沉积方法，包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出，以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。在形成单层后，吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。
原子沉积方法设备

[发明专利]层沉积方法-CN202080093147.3在审
发明人：乔瓦尼·弗朗西斯科·科泰拉;吕泉;骆欣涛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种用于通过在目标基板上沉积涂层材料的图案化表面涂层来形成电子器件的方法，该方法采用具有图案化浮雕的转移工具，该转移工具限定了转移工具的图案化转移表面，该方法包括：在施主基板上形成涂层材料的层；在收集步骤中，将转移表面提供至施主基板，以使施主基板上的涂层材料粘附至转移表面；在分离步骤中，使转移表面和施主基板远离彼此移动，其中涂层材料粘附至转移表面；在沉积步骤中，将转移表面提供至目标基板，以使转移表面上的涂层材料粘附至目标基板
沉积方法

[发明专利]原子层沉积-CN201380029364.6在审
发明人： G.阿马拉藤加;Y.乔伊;S.希瓦雷迪;N.布朗;C.科利斯 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种通过使用原子层沉积过程将材料沉积到基底上的方法，其中所述沉积过程包括第一沉积步骤、第一沉积步骤后的第二沉积步骤和在所述第一沉积步骤和第二沉积步骤之间的至少一分钟的延迟。每个沉积步骤包括多个沉积循环。延迟通过在选择的一个沉积循环结束处延迟净化气体被供应到容纳基底的处理腔室的时间段而被引入到沉积过程中。
原子沉积

[发明专利]原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置-CN202211341710.1有效
发明人：邵大立;齐彪;马敬忠 -专利权人：上海星原驰半导体有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置。一种原子层沉积喷淋装置，包括若干个第一导气柱阵列，每个第一导气柱阵列包括若干个第一导气柱；若干个第二导气柱阵列，每个第二导气柱阵列包括若干个第二导气柱；第一导气柱阵列和第二导气柱阵列间隔交替排布；冷却组件上述原子层沉积喷淋装置，既能避免化学反应前驱体在原子层沉积喷淋装置内发生热分解，又能避免化学反应前驱体在原子层沉积喷淋装置内发生冷凝。
原子沉积设备喷淋装置

[发明专利]沉积源和有机层沉积设备-CN201410018562.9有效
发明人：李宝罗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：公开了一种用于蒸发有机材料的沉积源和一种有机层沉积设备。在一方面，所述沉积源包括排放管，释放包括有机材料的流体；以及坩埚，包括与排放管相邻的第一表面，第一表面接触从排放管释放的流体并具有第一高度。所述沉积源还包括与坩埚的第二表面相邻的排泄管，所述排泄管排放流自第二表面的流体。
沉积有机设备

[发明专利]原子层沉积装置-CN201310751621.9在审
发明人：吴基荣 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，所述基板位于所述承受器上。
原子沉积装置

[发明专利]原子层沉积装置-CN201310751630.8在审
发明人：吴基荣 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，基板位于所述承受器上。
原子沉积装置

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